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型號(hào):

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV

描述:產(chǎn)品簡介:1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣CVD系統(tǒng)OTF-1200X-4-C4LV是專門為在金屬箔表面生長薄膜而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究

  • 廠商性質(zhì)

    經(jīng)銷商
  • 更新時(shí)間

    2024-03-12
  • 訪問量

    185
詳細(xì)介紹

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產(chǎn)品簡介: 1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣 CVD 系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV 是專門為在金屬箔表面生長薄膜 而設(shè)計(jì)的,特別是應(yīng)用在新一代能源——柔性金屬箔電極方面的研究。


產(chǎn)品型號(hào)

1200℃雙管滑動(dòng)式四通道混氣 CVD 系統(tǒng) OTF-1200X-4-C4LV

安裝條件

本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。


1、水:不需要


2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地


3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源


4、工作臺(tái): 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,承重 150kg 以上


5、通風(fēng)裝置:需要

主要特點(diǎn)

1、采用高純氧化鋁保溫材料,保證了的溫度均勻性。


2 、內(nèi)爐膛表面涂有美國進(jìn)口氧化鋁涂層,可以提高反射率和保護(hù)爐膛潔凈度。


3 、采用 PID 控制器 ,可以設(shè)置 30 段升降溫程序。


4、金屬箔纏繞在內(nèi)管的外表面上發(fā)生 CVD 反應(yīng)。


5、采用雙管真空密封法蘭,允許反應(yīng)氣體通過兩管之間( 10mm 間隙)。


6、冷卻氣體直接通入內(nèi)管。





7 、配有帶 KF25 快接和波紋管的高速機(jī)械泵。


8、爐底部裝有滑軌,爐體可從一端滑向另一端, 從而實(shí)現(xiàn)快速升溫和降溫。為了獲得較快的 加熱速度, 可以先將爐體預(yù)熱, 然后滑至放置樣品處; 為了獲得較快的冷卻速度, 可將爐 體滑至另一端,同時(shí)將冷氣通入樣品所在處。


9、密封法蘭系統(tǒng)采用不銹鋼制作。


10 、已通過 CE 認(rèn)證。

技術(shù)參數(shù)

管式爐


1 、電源: 單相 AC 208V-240V    50Hz/60Hz    2.5KW 20A 保險(xiǎn)絲)


2、石英管: 外管外徑 ?100mm ,內(nèi)徑 ?96mm ,長 1400mm


內(nèi)管外徑 ?80mm ,內(nèi)徑 ?75mm ,長 1400mm

3、加熱元件: 摻鉬鐵鉻鋁合金電阻絲(表面涂有氧化鋯)


4、加熱區(qū)域: 440mm


5、恒溫區(qū)域: 120mm (± 1℃在 400-1100℃)


6 、工作溫度:  1100 ,連續(xù)工作 1000


7、升降溫速率: 20/min


8、控溫精度:± 1


9、真空度: 10-3torr (機(jī)械泵), 10-5torr  (分子泵)

質(zhì)量流量混氣系統(tǒng)


1、質(zhì)子流量計(jì): 4 路精密質(zhì)子流量計(jì),數(shù)字顯示,氣體流量自動(dòng)控制


MFC1 范圍 0-100sccm,MFC2 范圍 0-200sccm,MFC3 范圍 0-200sccm,MFC1 范圍 0-500sccm

2、流量精度: 0.2%


3、氣路: 4 路(每個(gè)氣路都有一個(gè)獨(dú)立的不銹鋼針閥控制)


4、進(jìn)出氣口: 1/4"卡套





5、混氣罐: 1 個(gè)

產(chǎn)品規(guī)格

尺寸: 管式爐 550mm×380mm×520mm ,移動(dòng)架 600mm×600mm×597mm


重量: 135kg

可選配件

1、分子泵


2、雙溫區(qū)管式爐


3、銅箔(生長石墨烯 150mm×150mm×25µm


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